(1)热导率高，满足器件散热需求；
(2)耐热性好，满足功率器件高温(大于200°C)应用需求；
(3)热膨胀系数匹配，与芯片材料热膨胀系数匹配，降低封装热应力；
(4)介电常数小，高频特性好，降低器件信号传输时间，提高信号传输速率；
(5)机械强度高，满足器件封装与应用过程中力学性能要求；
(6)耐腐蚀性好，能够耐受强酸、强碱、沸水、有机溶液等侵蚀；
(7)结构致密，满足电子器件气密封装需求。
氮化铝性能如何呢？氮化铝作为陶瓷基板材料其性能如下：
（1）氮化铝的导热率较高，室温时理论导热率最高可达320W/(m·K)，是氧化铝陶瓷的8～10倍，实际生产的热导率也可高达200W/(m·K)，有利于LED中热量散发，提高LED性能；
（2）氮化铝线膨胀系数较小，理论值为4.6×10-6/K，与LED常用材料Si、GaAs的热膨胀系数相近，变化规律也与Si的热膨胀系数的规律相似。另外，氮化铝与GaN晶格相匹配。热匹配与晶格匹配有利于在大功率LED制备过程中芯片与基板的良好结合，这是高性能大功率LED的保障；
（3）氮化铝陶瓷的能隙宽度为6.2eV，绝缘性好，应用于大功率LED时不需要绝缘处理，简化了工艺；
（4）氮化铝为纤锌矿结构，以很强的共价键结合，所以具有高硬度和高强度，机械性能较好。另外，氮化铝具有较好的化学稳定性和耐高温性能，在空气氛围中温度达1000℃下可以保持稳定性，在真空中温度高达1400℃时稳定性较好，有利于在高温中烧结，且耐腐蚀性能满足后续工艺要求。
由以上看来，氮化铝陶瓷具有高热导率、高强度、高电阻率、密度小、低介电常数、无毒、以及与Si 相匹配的热膨胀系数等优异性能，是最具发展前途的一种陶瓷基板材料。
18918818796