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日本开发高精度制造半导体碳化硅的技术 目标2025年实现量产

   2021-11-30 7580
导读

中国粉体网讯 日本名古屋大学的宇治原彻教授等人开发出利用人工智能(AI)高精度制造新一代半导体使用的碳化硅(SiC)结晶的方法。这种方法能将结晶缺陷数量降至原来百分之一,提高半导体生产的成品率。2021年6月成

中国粉体网讯  日本名古屋大学的宇治原彻教授等人开发出利用人工智能(AI)高精度制造新一代半导体使用的碳化硅(SiC)结晶的方法。这种方法能将结晶缺陷数量降至原来百分之一,提高半导体生产的成品率。2021年6月成立的初创企业计划2022年销售样品,2025年实现量产。

 
(文/小编)
 
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